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Infineon Technologies IRFH7882TRPBF

Numéro de pièce MFG
IRFH7882TRPBF
quantité disponible
93460 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
FASTIRFET™ MOSFET N-CH 80V 26A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRFH7882TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFH7882TRPBF
Numéro de pièce future FT-IRFH7882TRPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries FASTIRFET™
IRFH7882TRPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 80V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 26A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.6V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 74nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 3186pF @ 40V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 4W (Ta), 195W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur 8-PQFN (5x6)
Paquet / caisse 8-VQFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH7882TRPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFH7882TRPBF-FT

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