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Infineon Technologies IRFH7190TRPBF

Name: IRFH7190TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH7190TRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (151 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFH7190TRPBF

quantité disponible: 73720 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: FASTIRFET™, HEXFET® MOSFET N-CH 100V 15A

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFH7190TRPBF.pdf

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IRFH7190TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRFH7190TRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRFH7190TRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	FASTIRFET™, HEXFET®
IRFH7190TRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	15A (Ta), 82A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	7.5 mOhm @ 49A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.6V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	39nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1685pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.6W (Ta), 104W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	PQFN (5x6)
Paquet / caisse	8-PowerTDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH7190TRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFH7190TRPBF-FT

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