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Infineon Technologies IRFH7188TRPBF

Numéro de pièce MFG
IRFH7188TRPBF
quantité disponible
29120 Pièces
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USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
FASTIRFET™, HEXFET® MOSFET N-CH 100V 18A
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRFH7188TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFH7188TRPBF
Numéro de pièce future FT-IRFH7188TRPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries FASTIRFET™, HEXFET®
IRFH7188TRPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 18A (Ta), 105A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 150µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2116pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 3.8W (Ta), 132W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur PQFN (5x6)
Paquet / caisse 8-PowerTDFN
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH7188TRPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFH7188TRPBF-FT

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