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Infineon Technologies IRFH7187TRPBF

Name: IRFH7187TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFH7187TRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.9 (438 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFH7187TRPBF

quantité disponible: 12060 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: FASTIRFET™, HEXFET® MOSFET N-CH 100V 18A

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFH7187TRPBF.pdf

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IRFH7187TRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRFH7187TRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRFH7187TRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	FASTIRFET™, HEXFET®
IRFH7187TRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	18A (Ta), 105A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.6V @ 150µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	50nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2116pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 132W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	8-PQFN (5x6)
Paquet / caisse	8-PowerVDFN
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFH7187TRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFH7187TRPBF-FT

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