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IRFD9010 Image

Vishay Siliconix IRFD9010

Numéro de pièce MFG
IRFD9010
quantité disponible
30630 Pièces
Prix de référence
USD 1.1286
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
- MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRFD9010.pdf
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IRFD9010 Caractéristiques

Référence fabricant IRFD9010
Numéro de pièce future FT-IRFD9010
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRFD9010 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 50V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 1.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 580mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 240pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquet / caisse 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFD9010 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFD9010-FT

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