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Vishay Siliconix IRFD113

Numéro de pièce MFG
IRFD113
quantité disponible
99570 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
- MOSFET N-CH 60V 800MA 4-DIP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRFD113.pdf
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IRFD113 Caractéristiques

Référence fabricant IRFD113
Numéro de pièce future FT-IRFD113
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRFD113 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 800mA (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 200pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 1W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur 4-HVMDIP
Paquet / caisse 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFD113 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFD113-FT

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