maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFD110PBF
Référence fabricant | IRFD110PBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFD110PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRFD110PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540 mOhm @ 600mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 8.3nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 180pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.3W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD110PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFD110PBF-FT |
TK15A60U(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK16A60W,S4X
Toshiba Semiconductor and Storage
TK18A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK19A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK20A25D,S5Q(M
Toshiba Semiconductor and Storage
TK2A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3A60DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK3A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
ICE40UP5K-SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S250E-5PQ208C
Xilinx Inc.
XC2V1000-5FGG456I
Xilinx Inc.
10CL010ZU256I8G
Intel
5SGXMA7K2F40I3
Intel
A54SX32A-1TQ100I
Microsemi Corporation
APA075-FGG144
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
EPF10K50VBC356-2N
Intel
EPF10K50VBI356-4
Intel