maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFD010
Référence fabricant | IRFD010 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFD010 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRFD010 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 50V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.7A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200 mOhm @ 860mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paquet / caisse | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFD010 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFD010-FT |
TK6A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK7A65D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A45D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A45DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A50D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A50DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
TK8A55DA(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
LCMXO2-7000HE-6TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K50TC144-3N
Intel
XC6SLX9-L1FT256C
Xilinx Inc.
EP4SGX360KF43C2
Intel
XC7K70T-1FB484C
Xilinx Inc.
LFE3-35EA-7LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19A7N
Intel
EP1S40F780C5
Intel
EPF6024AQC240-3
Intel