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Infineon Technologies IRFBL3703

Name: IRFBL3703
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFBL3703
Availability: InStock
Rating: 4.9 (791 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFBL3703

quantité disponible: 90210 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 260A SUPER D2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFBL3703.pdf

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IRFBL3703 Caractéristiques

Référence fabricant	IRFBL3703
Numéro de pièce future	FT-IRFBL3703
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRFBL3703 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	260A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.5 mOhm @ 76A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	209nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	8250pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.8W (Ta), 300W (Tc)
Température de fonctionnement	-
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	SUPER D2-PAK
Paquet / caisse	Super D2-Pak
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFBL3703 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFBL3703-FT

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