maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFBE20STRL
Référence fabricant | IRFBE20STRL |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFBE20STRL |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRFBE20STRL Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 1.8A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 530pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFBE20STRL Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFBE20STRL-FT |
IRF644STRR
Vishay Siliconix
IRF710S
Vishay Siliconix
IRF710STRL
Vishay Siliconix
IRF710STRR
Vishay Siliconix
IRF720S
Vishay Siliconix
IRF720STRL
Vishay Siliconix
IRF720STRR
Vishay Siliconix
IRF730AS
Vishay Siliconix
IRF730ASTRL
Vishay Siliconix
IRF730ASTRR
Vishay Siliconix
EP1C6T144C6
Intel
LCMXO2-1200ZE-3TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX09-FVQ100
Microsemi Corporation
EP4CE10E22C7N
Intel
XC5VLX30-1FF676I
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG144
Microsemi Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-8E-5MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA1D4F31I3N
Intel
EP4CE55F29C6
Intel