maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRFBC20STRLPBF
Référence fabricant | IRFBC20STRLPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRFBC20STRLPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRFBC20STRLPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 600V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 2.2A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 Ohm @ 1.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 350pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.1W (Ta), 50W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRFBC20STRLPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRFBC20STRLPBF-FT |
IRF9Z24SPBF
Vishay Siliconix
IRFBC30ASPBF
Vishay Siliconix
SIHB16N50C-E3
Vishay Siliconix
SIHB25N50E-GE3
Vishay Siliconix
SIHB6N65E-GE3
Vishay Siliconix
IRF644SPBF
Vishay Siliconix
IRF730SPBF
Vishay Siliconix
SIHB100N60E-GE3
Vishay Siliconix
IRF820SPBF
Vishay Siliconix
IRFZ48SPBF
Vishay Siliconix
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A42MX36-2BGG272I
Microsemi Corporation
M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel