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Infineon Technologies IRFB7434GPBF

Numéro de pièce MFG
IRFB7434GPBF
quantité disponible
48410 Pièces
Prix de référence
USD 0.968232
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N CH 40V 195A TO220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IRFB7434GPBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFB7434GPBF
Numéro de pièce future FT-IRFB7434GPBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®, StrongIRFET™
IRFB7434GPBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 40V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 195A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 324nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10820pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) -
Température de fonctionnement -
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220-3
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB7434GPBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFB7434GPBF-FT

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