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Infineon Technologies IRFB4620PBF

Numéro de pièce MFG
IRFB4620PBF
quantité disponible
39940 Pièces
Prix de référence
USD 2.088
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRFB4620PBF.pdf
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IRFB4620PBF Caractéristiques

Référence fabricant IRFB4620PBF
Numéro de pièce future FT-IRFB4620PBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRFB4620PBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 25A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1710pF @ 50V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 144W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220AB
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB4620PBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRFB4620PBF-FT

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