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Infineon Technologies IRFB4110GPBF

Name: IRFB4110GPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRFB4110GPBF
Price: 3.664 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (322 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRFB4110GPBF

quantité disponible: 11230 Pièces

Prix de référence: USD 3.664

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRFB4110GPBF.pdf

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IRFB4110GPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRFB4110GPBF
Numéro de pièce future	FT-IRFB4110GPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRFB4110GPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Not For New Designs
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5 mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	210nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9620pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	370W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRFB4110GPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRFB4110GPBF-FT

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