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IRF9Z10 Image

Vishay Siliconix IRF9Z10

Numéro de pièce MFG
IRF9Z10
quantité disponible
42550 Pièces
Prix de référence
USD 1.36752
Notre prix
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
- MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRF9Z10.pdf
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IRF9Z10 Caractéristiques

Référence fabricant IRF9Z10
Numéro de pièce future FT-IRF9Z10
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries -
IRF9Z10 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Active
Type de FET P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 6.7A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 270pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 43W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220AB
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF9Z10 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF9Z10-FT

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