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Infineon Technologies IRF9910TR

Numéro de pièce MFG
IRF9910TR
quantité disponible
27720 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
HEXFET® MOSFET 2N-CH 20V 10A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRF9910TR.pdf
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IRF9910TR Caractéristiques

Référence fabricant IRF9910TR
Numéro de pièce future FT-IRF9910TR
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRF9910TR Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET 2 N-Channel (Dual)
Caractéristique FET Logic Level Gate
Drain à la tension source (Vdss) 20V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 10A, 12A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.55V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 900pF @ 10V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / caisse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package d'appareils du fournisseur 8-SO
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF9910TR Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRF9910TR-FT

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