maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF830PBF
Référence fabricant | IRF830PBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF830PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRF830PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 500V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 610pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 74W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220AB |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF830PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF830PBF-FT |
AO3420L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AO3421L
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AO3424_102
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AO3438
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AO3460
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AO3460L
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AOI4286
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
AOI2610E
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AOI2N60
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AOI2N60A
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AT40K40AL-1BQI
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XC4005XL-3PQ100C
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APA600-BG456I
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A42MX36-1PQG208I
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EP2S15F484C3
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EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
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EP2AGX45DF25I5
Intel
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LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation