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Infineon Technologies IRF8301MTRPBF

Name: IRF8301MTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF8301MTRPBF
Price: 0.81796 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (305 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF8301MTRPBF

quantité disponible: 18890 Pièces

Prix de référence: USD 0.81796

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF8301MTRPBF.pdf

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IRF8301MTRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRF8301MTRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRF8301MTRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRF8301MTRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	30V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	34A (Ta), 192A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.35V @ 150µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	77nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	6140pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement	-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	DIRECTFET™ MT
Paquet / caisse	DirectFET™ Isometric MT
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF8301MTRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF8301MTRPBF-FT

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