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Référence fabricant | IRF7703TRPBF |
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Numéro de pièce future | FT-IRF7703TRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7703TRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 6A (Ta) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 5220pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Ta) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7703TRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7703TRPBF-FT |
PML260SN,118
Nexperia USA Inc.
PML340SN,118
Nexperia USA Inc.
PSMN013-30LL,115
NXP USA Inc.
PSMN014-60LS,115
NXP USA Inc.
PSMN017-30LL,115
NXP USA Inc.
PSMN023-80LS,115
NXP USA Inc.
PSMN035-100LS,115
NXP USA Inc.
PSMN3R5-30LL,115
NXP USA Inc.
PSMN3R8-30LL,115
NXP USA Inc.
PSMN5R8-30LL,115
NXP USA Inc.
XC4005E-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-L1CSG484I
Xilinx Inc.
A3PN060-1VQ100I
Microsemi Corporation
10AX048K2F35E2LG
Intel
EP4S100G5F45I3
Intel
A40MX02-PLG44
Microsemi Corporation
XC7A25T-2CPG238C
Xilinx Inc.
LFEC15E-4F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA3D6F31C6N
Intel
EP1S40F1508C6N
Intel