maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF7700TR
Référence fabricant | IRF7700TR |
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Numéro de pièce future | FT-IRF7700TR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF7700TR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.6A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15 mOhm @ 8.6A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 89nC @ 5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4300pF @ 15V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 1.5W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | 8-TSSOP |
Paquet / caisse | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF7700TR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF7700TR-FT |
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