maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF6646TR1PBF
Référence fabricant | IRF6646TR1PBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRF6646TR1PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF6646TR1PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 80V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12A (Ta), 68A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 12A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.9V @ 150µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 50nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2060pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DIRECTFET™ MN |
Paquet / caisse | DirectFET™ Isometric MN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6646TR1PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF6646TR1PBF-FT |
IRF6622TRPBF
Infineon Technologies
IRF6631TR1PBF
Infineon Technologies
IRF6631TRPBF
Infineon Technologies
IRF6711STR1PBF
Infineon Technologies
IRF6711STRPBF
Infineon Technologies
IRF6712STR1PBF
Infineon Technologies
IRF6713STR1PBF
Infineon Technologies
IRF6713STRPBF
Infineon Technologies
IRF6721STR1PBF
Infineon Technologies
IRF6721STRPBF
Infineon Technologies
XC6SLX150-3FG676I
Xilinx Inc.
XC3S1400A-5FG484C
Xilinx Inc.
AGL600V5-FG484I
Microsemi Corporation
LAXP2-8E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
A40MX04-3PL68I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I2
Intel
5SGXEBBR2H43I3L
Intel
LFEC10E-3F256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K10QC208-3N
Intel