maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF6614
Référence fabricant | IRF6614 |
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Numéro de pièce future | FT-IRF6614 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF6614 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 12.7A (Ta), 55A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2560pF @ 20V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 2.1W (Ta), 42W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | DIRECTFET™ ST |
Paquet / caisse | DirectFET™ Isometric ST |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6614 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF6614-FT |
IRF6727MTR1PBF
Infineon Technologies
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5SGXEA5K3F40I3LN
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5SGXEA3H2F35I3LN
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