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Infineon Technologies IRF630NSTRRPBF

Name: IRF630NSTRRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF630NSTRRPBF
Availability: InStock
Rating: 4.6 (476 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF630NSTRRPBF

quantité disponible: 33220 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF630NSTRRPBF.pdf

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IRF630NSTRRPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRF630NSTRRPBF
Numéro de pièce future	FT-IRF630NSTRRPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRF630NSTRRPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	9.3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	35nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	575pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	82W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Package d'appareils du fournisseur	D2PAK
Paquet / caisse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF630NSTRRPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF630NSTRRPBF-FT

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