maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF6215L-103
Référence fabricant | IRF6215L-103 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRF6215L-103 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF6215L-103 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 150V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 13A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 290 mOhm @ 6.6A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 66nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 860pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.8W (Ta), 110W (Tc) |
Température de fonctionnement | - |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-262 |
Paquet / caisse | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF6215L-103 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF6215L-103-FT |
IPI120N10S403AKSA1
Infineon Technologies
IPI120N10S405AKSA1
Infineon Technologies
IPI120P04P404AKSA1
Infineon Technologies
IPI120P04P4L03AKSA1
Infineon Technologies
IPI45N06S409AKSA2
Infineon Technologies
IPI50R399CPXKSA2
Infineon Technologies
IPI65R099C6XKSA1
Infineon Technologies
IPI65R150CFDXKSA1
Infineon Technologies
IPI65R280E6XKSA1
Infineon Technologies
IPI70P04P409AKSA1
Infineon Technologies