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Infineon Technologies IRF6100
- Numéro de pièce MFG
- IRF6100
- quantité disponible
- 60550 Pièces
- Prix de référence
- USD 0
- Notre prix
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- Date d'expédition
- Nous pouvons expédier aujourd'hui
- fabricant
- Infineon Technologies
- Brève description
- HEXFET® MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET
- Statut sans plomb / Statut RoHS
- Conforme RoHS (sans plomb)
- Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
- 1 (illimité)
- Code de date (D / C)
- Nouveau
- catégorie de produit
- Transistors - FET, MOSFET - Simple
- Stock de ressources
- Distributeur Franchisé
- garantie
- Garantie de qualité de 360 jours
- Fiche technique
- IRF6100.pdf
IRF6100 Caractéristiques
| Référence fabricant | IRF6100 |
|---|---|
| Numéro de pièce future | FT-IRF6100 |
| SPQ / MOQ | Contactez nous |
| Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
| séries | HEXFET® |
| IRF6100 Statut (cycle de vie) | En stock |
| Statut de la pièce | Obsolete |
| Type de FET | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 5.1A (Ta) |
| Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.2V @ 250µA |
| Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1230pF @ 15V |
| Caractéristique FET | - |
| Dissipation de puissance (max) | 2.2W (Ta) |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package d'appareils du fournisseur | 4-FlipFet™ |
| Paquet / caisse | 4-FlipFet™ |
| Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
| IRF6100 Poids | Contactez nous |
| Numéro de pièce de rechange | IRF6100-FT |
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