maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF540ZS
Référence fabricant | IRF540ZS |
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Numéro de pièce future | FT-IRF540ZS |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF540ZS Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 36A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26.5 mOhm @ 22A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1770pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 92W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF540ZS Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF540ZS-FT |
IRF3704STRR
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A42MX09-TQ176
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M1A3P1000L-FGG144
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