maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF5210STRR
Référence fabricant | IRF5210STRR |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRF5210STRR |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF5210STRR Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 40A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60 mOhm @ 24A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF5210STRR Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF5210STRR-FT |
IRF3415STRRPBF
Infineon Technologies
IRF3515S
Infineon Technologies
IRF3515STRL
Infineon Technologies
IRF3515STRLPBF
Infineon Technologies
IRF3515STRR
Infineon Technologies
IRF3610SPBF
Infineon Technologies
IRF3610STRLPBF
Infineon Technologies
IRF3704SPBF
Infineon Technologies
IRF3704STRL
Infineon Technologies
IRF3704STRLPBF
Infineon Technologies
XC3S700A-4FGG400C
Xilinx Inc.
ICE5LP4K-SWG36ITR
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
EP2S15F672C5
Intel
5SGSMD5K2F40C2N
Intel
XC5VLX110-3FF1153C
Xilinx Inc.
XC7A100T-1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K100EQC240-1X
Intel
EP20K160EQC208-1
Intel