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Infineon Technologies IRF5210LPBF

Name: IRF5210LPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF5210LPBF
Price: 2.352 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (720 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF5210LPBF

quantité disponible: 41520 Pièces

Prix de référence: USD 2.352

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET® MOSFET P-CH 100V 38A TO-262

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF5210LPBF.pdf

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IRF5210LPBF Caractéristiques

Référence fabricant	IRF5210LPBF
Numéro de pièce future	FT-IRF5210LPBF
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®
IRF5210LPBF Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	P-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	38A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	60 mOhm @ 38A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	230nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2780pF @ 25V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	3.1W (Ta), 170W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-262
Paquet / caisse	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF5210LPBF Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF5210LPBF-FT

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