maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRF3706STRRPBF
Référence fabricant | IRF3706STRRPBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRF3706STRRPBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRF3706STRRPBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 20V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 77A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 2.8V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 15A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2410pF @ 10V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 88W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | D2PAK |
Paquet / caisse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRF3706STRRPBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRF3706STRRPBF-FT |
IRF1010NSTRR
Infineon Technologies
IRF1010NSTRRPBF
Infineon Technologies
IRF1010ZS
Infineon Technologies
IRF1010ZSPBF
Infineon Technologies
IRF1010ZSTRRPBF
Infineon Technologies
IRF1018ESPBF
Infineon Technologies
IRF1104S
Infineon Technologies
IRF1104STRL
Infineon Technologies
IRF1104STRR
Infineon Technologies
IRF1302S
Infineon Technologies
A3P1000L-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
A54SX32A-CQ256B
Microsemi Corporation
5SEEBF45C3N
Intel
5SGXEABN2F45I2N
Intel
XC6SLX45-N3CSG324C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-N3CSG324C
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F40I3LG
Intel
EP2C20Q240C8N
Intel