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Infineon Technologies IRF200P222

Name: IRF200P222
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF200P222
Price: 13.872 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (420 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF200P222

quantité disponible: 70520 Pièces

Prix de référence: USD 13.872

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: StrongIRFET™ MOSFET N-CH 200V 182A TO247AC

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF200P222.pdf

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IRF200P222 Caractéristiques

Référence fabricant	IRF200P222
Numéro de pièce future	FT-IRF200P222
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	StrongIRFET™
IRF200P222 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	182A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6.6 mOhm @ 82A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 270µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	203nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	9820pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	556W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-247AC
Paquet / caisse	TO-247-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF200P222 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF200P222-FT

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