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Infineon Technologies IRF200B211

Name: IRF200B211
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF200B211
Price: 0.928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (39 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF200B211

quantité disponible: 50080 Pièces

Prix de référence: USD 0.928

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF200B211.pdf

IRF200B211 Caractéristiques

Référence fabricant	IRF200B211
Numéro de pièce future	FT-IRF200B211
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®, StrongIRFET™
IRF200B211 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	200V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	12A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.9V @ 50µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	790pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	80W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF200B211 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF200B211-FT

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