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Infineon Technologies IRF100B202

Name: IRF100B202
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRF100B202
Price: 1.512 USD
Availability: InStock
Rating: 4.5 (208 reviews)

Numéro de pièce MFG: IRF100B202

quantité disponible: 88680 Pièces

Prix de référence: USD 1.512

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: HEXFET®, StrongIRFET™ MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IRF100B202.pdf

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IRF100B202 Caractéristiques

Référence fabricant	IRF100B202
Numéro de pièce future	FT-IRF100B202
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	HEXFET®, StrongIRFET™
IRF100B202 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	100V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	97A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	8.6 mOhm @ 58A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 150µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	116nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	4476pF @ 50V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	221W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	TO-220AB
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRF100B202 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IRF100B202-FT

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