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Référence fabricant | IRD3CH101DB6 |
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Numéro de pièce future | FT-IRD3CH101DB6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRD3CH101DB6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.7V @ 200A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 360ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3.6µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRD3CH101DB6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRD3CH101DB6-FT |
GP10WE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10YE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10YE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15GL-5014E3/72
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15K-040E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15M-024E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP2D008A065A
Global Power Technologies Group
GP2D008A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A065A
Global Power Technologies Group
GP2D010A065C
Global Power Technologies Group
XC3SD3400A-4CS484C
Xilinx Inc.
XC2S50-6FG256C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484
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A3P600-1FGG256
Microsemi Corporation
EP4SE360H29I3N
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XC7K410T-3FFG900E
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70EA-6FN672C
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EP2SGX60DF780C5N
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EP1S40F1020I6N
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