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Référence fabricant | IRD3CH101DB6 |
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Numéro de pièce future | FT-IRD3CH101DB6 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | - |
IRD3CH101DB6 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de diode | Standard |
Tension - Inverse CC (Vr) (Max) | 1200V |
Courant - Moyenne Rectifiée (Io) | 200A |
Tension - Forward (Vf) (Max) @ Si | 2.7V @ 200A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 360ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 3.6µA @ 1200V |
Capacité @ Vr, F | - |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / caisse | Die |
Package d'appareils du fournisseur | Die |
Température de fonctionnement - Jonction | -40°C ~ 175°C |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRD3CH101DB6 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRD3CH101DB6-FT |
GP10WE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10YE-M3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP10YE-M3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP15GL-5014E3/72
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GP15K-040E3/54
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GP15M-024E3/54
Vishay Semiconductor Diodes Division
GP2D008A065A
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GP2D008A065C
Global Power Technologies Group
GP2D010A065A
Global Power Technologies Group
GP2D010A065C
Global Power Technologies Group
A54SX08A-1TQG144I
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EX128-TQ100A
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XCKU5P-2FFVB676E
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XC7S100-1FGGA676C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-1
Intel
XC7K70T-1FBG484I
Xilinx Inc.
LFX200B-04F256C
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LCMXO2-1200HC-4MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation