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Vishay Siliconix IRC644PBF

Numéro de pièce MFG
IRC644PBF
quantité disponible
91570 Pièces
Prix de référence
USD 0
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Date d'expédition
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fabricant
Vishay Siliconix
Brève description
HEXFET® MOSFET N-CH 250V 14A TO-220-5
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IRC644PBF.pdf
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IRC644PBF Caractéristiques

Référence fabricant IRC644PBF
Numéro de pièce future FT-IRC644PBF
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries HEXFET®
IRC644PBF Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 250V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 14A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 65nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 25V
Caractéristique FET Current Sensing
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur TO-220-5
Paquet / caisse TO-220-5
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IRC644PBF Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IRC644PBF-FT

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