maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IRC634PBF
Référence fabricant | IRC634PBF |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IRC634PBF |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | HEXFET® |
IRC634PBF Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 250V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 8.1A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 4.9A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 770pF @ 25V |
Caractéristique FET | Current Sensing |
Dissipation de puissance (max) | 74W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | TO-220-5 |
Paquet / caisse | TO-220-5 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IRC634PBF Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IRC634PBF-FT |
IRF740LCL
Vishay Siliconix
IRF744L
Vishay Siliconix
IRF820AL
Vishay Siliconix
IRF820L
Vishay Siliconix
IRF830AL
Vishay Siliconix
IRF830L
Vishay Siliconix
IRF840AL
Vishay Siliconix
IRF840L
Vishay Siliconix
IRF840LCL
Vishay Siliconix
IRF9510L
Vishay Siliconix
EX128-TQ100
Microsemi Corporation
XC3S50A-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ256
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
A42MX16-VQG100M
Microsemi Corporation
EP1SGX10CF672C7N
Intel
10AX016C3U19I2LG
Intel
10CL025ZE144I8G
Intel
5SGXEA7H3F35I4
Intel
EP3SE50F780I3
Intel