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Référence fabricant | IR02SHR10K |
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Numéro de pièce future | FT-IR02SHR10K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IR |
IR02SHR10K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | Phenolic |
Inductance | 100nH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 1.35A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 80 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 680MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.120" Dia x 0.260" L (3.05mm x 6.60mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02SHR10K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IR02SHR10K-FT |
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XC6SLX45-2FGG676C
Xilinx Inc.
XCKU060-2FFVA1517E
Xilinx Inc.
AT40K10-2DQC
Microchip Technology
5SGXEA9K3H40I3N
Intel
XC5VLX330T-1FFG1738I
Xilinx Inc.
A3P600-FGG144
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200ZE-3MG132IR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX70DF29I3
Intel