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Référence fabricant | IR02SH1R2J |
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Numéro de pièce future | FT-IR02SH1R2J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IR |
IR02SH1R2J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 590mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | 25 @ 7.9MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 150MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.9MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02SH1R2J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IR02SH1R2J-FT |
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Lattice Semiconductor Corporation
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Xilinx Inc.
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
XC6SLX9-L1CSG324I
Xilinx Inc.
A42MX16-1TQG176M
Microsemi Corporation
LFE3-70E-8FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I5
Intel
EP4SGX230DF29I4
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EP20K100EQI240-2X
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