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Référence fabricant | IR02SH1R2J |
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Numéro de pièce future | FT-IR02SH1R2J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IR |
IR02SH1R2J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 1.2µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 590mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | 25 @ 7.9MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 150MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.9MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02SH1R2J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IR02SH1R2J-FT |
IR02ER1R0K
Vishay Dale
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LCMXO1200C-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016C3U19I2LG
Intel
10AX048E4F29I3SG
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5SGXEBBR2H43C2LN
Intel
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4U19A7N
Intel
10AX057K4F35I3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2XN
Intel