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Référence fabricant | IR02RUR10H |
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Numéro de pièce future | FT-IR02RUR10H |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IR |
IR02RUR10H Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | Phenolic |
Inductance | 100nH |
Tolérance | ±3% |
Note actuelle | 1.35A |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 80 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 680MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 125°C |
Fréquence d'inductance - Test | 25MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02RUR10H Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IR02RUR10H-FT |
IR02EB4R7K
Vishay Dale
IR02EB560K
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ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
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AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
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EPF10K50VBC356-4
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EP3C40F324C8N
Intel