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Référence fabricant | IR02EB2R2K |
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Numéro de pièce future | FT-IR02EB2R2K |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IR |
IR02EB2R2K Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 2.2µH |
Tolérance | ±10% |
Note actuelle | 395mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 400 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.9MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 115MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.9MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02EB2R2K Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IR02EB2R2K-FT |
IMS05WDST681J40
Vishay Dale
IMS05WDST6R8K40
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XA3S200A-4FTG256Q
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XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation