maison / des produits / Inducteurs, bobines, bobines d'arrêt / Inducteurs fixes / IR02BH2R7J
Référence fabricant | IR02BH2R7J |
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Numéro de pièce future | FT-IR02BH2R7J |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | IR |
IR02BH2R7J Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type | - |
Matériau - Noyau | Iron |
Inductance | 2.7µH |
Tolérance | ±5% |
Note actuelle | 355mA |
Courant - Saturation | - |
Blindage | Unshielded |
Résistance DC (DCR) | 550 mOhm Max |
Q @ Freq | 37 @ 7.9MHz |
Fréquence - Auto-résonance | 100MHz |
Évaluations | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 105°C |
Fréquence d'inductance - Test | 7.9MHz |
Caractéristiques | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / caisse | Axial |
Package d'appareils du fournisseur | Axial |
Taille / Dimension | 0.120" Dia x 0.260" L (3.02mm x 6.60mm) |
Hauteur - assis (max) | - |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IR02BH2R7J Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IR02BH2R7J-FT |
IMS05WDSH332K40
Vishay Dale
IMS05WDSH333K40
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A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
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5SGXEA7H3F35C2N
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5AGXMA5G4F31C4N
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