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Infineon Technologies IPU80R1K4CEBKMA1

Numéro de pièce MFG
IPU80R1K4CEBKMA1
quantité disponible
14630 Pièces
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
CoolMOS™ MOSFET N-CH 800V 3.9A TO251-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
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IPU80R1K4CEBKMA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPU80R1K4CEBKMA1
Numéro de pièce future FT-IPU80R1K4CEBKMA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries CoolMOS™
IPU80R1K4CEBKMA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 800V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 3.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 Ohm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 240µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 100V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 63W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur PG-TO251-3
Paquet / caisse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPU80R1K4CEBKMA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPU80R1K4CEBKMA1-FT

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