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Infineon Technologies IPSH4N03LA G

Name: IPSH4N03LA G
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPSH4N03LA G
Availability: InStock
Rating: 4.9 (107 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPSH4N03LA G

quantité disponible: 39060 Pièces

Prix de référence: USD 0

Notre prix: Nous avons un gros rabais, s'il vous plaît contactez-nous

Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 25V 90A IPAK

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPSH4N03LA G.pdf

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IPSH4N03LA G Caractéristiques

Référence fabricant	IPSH4N03LA G
Numéro de pièce future	FT-IPSH4N03LA G
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
IPSH4N03LA G Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Obsolete
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	25V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	90A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2V @ 40µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	26nC @ 5V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3200pF @ 15V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	94W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO251-3
Paquet / caisse	TO-251-3 Stub Leads, IPak
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPSH4N03LA G Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPSH4N03LA G-FT

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