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Référence fabricant | IPS80R1K4P7AKMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPS80R1K4P7AKMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPS80R1K4P7AKMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Active |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 800V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 4A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Caractéristique FET | Super Junction |
Dissipation de puissance (max) | 32W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO251-3 |
Paquet / caisse | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS80R1K4P7AKMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPS80R1K4P7AKMA1-FT |
IPB010N06NATMA1
Infineon Technologies
IPB180N04S400ATMA1
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IRL40SC209
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XA3S500E-4FTG256I
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XA6SLX25T-3FGG484Q
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG484
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APA300-BGG456M
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A54SX16A-FGG256I
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AT40K20-2AQC
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EP2S30F672C4
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10M40DCF672C7G
Intel
A42MX16-3PQ100
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EP4CGX22CF19C6N
Intel