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Référence fabricant | IPS70R600CEAKMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPS70R600CEAKMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ |
IPS70R600CEAKMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Discontinued at Future Semiconductor |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 700V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10.5A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 0.21mA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 474pF @ 100V |
Caractéristique FET | Super Junction |
Dissipation de puissance (max) | 86W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO251-3 |
Paquet / caisse | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPS70R600CEAKMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPS70R600CEAKMA1-FT |
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