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Référence fabricant | IPP12CNE8N G |
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Numéro de pièce future | FT-IPP12CNE8N G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPP12CNE8N G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 85V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 67A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.9 mOhm @ 67A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 83µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 64nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 4340pF @ 40V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 125W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP12CNE8N G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPP12CNE8N G-FT |
IPP024N06N3GHKSA1
Infineon Technologies
IPP024N06N3GXKSA1
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IPP027N08N5AKSA1
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IPP037N08N3GE8181XKSA1
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XA6SLX45-3FGG484Q
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A42MX36-2BGG272I
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M2GL090-FGG484
Microsemi Corporation
MPF300T-1FCG1152E
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL200F1517C2N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
MPM7128SQC100AC
Intel