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Infineon Technologies IPP12CNE8N G

Numéro de pièce MFG
IPP12CNE8N G
quantité disponible
23340 Pièces
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ MOSFET N-CH 85V 67A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IPP12CNE8N G.pdf
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IPP12CNE8N G Caractéristiques

Référence fabricant IPP12CNE8N G
Numéro de pièce future FT-IPP12CNE8N G
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
IPP12CNE8N G Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Obsolete
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 85V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 67A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 12.9 mOhm @ 67A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 83µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 64nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4340pF @ 40V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 125W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur PG-TO220-3
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP12CNE8N G Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPP12CNE8N G-FT

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