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Infineon Technologies IPP120N06S4H1AKSA1

Numéro de pièce MFG
IPP120N06S4H1AKSA1
quantité disponible
31450 Pièces
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Date d'expédition
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fabricant
Infineon Technologies
Brève description
OptiMOS™ MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Conforme RoHS (sans plomb)
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL)
1 (illimité)
Code de date (D / C)
Nouveau
catégorie de produit
Transistors - FET, MOSFET - Simple
Stock de ressources
Distributeur Franchisé
garantie
Garantie de qualité de 360 jours
Fiche technique
IPP120N06S4H1AKSA1.pdf
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IPP120N06S4H1AKSA1 Caractéristiques

Référence fabricant IPP120N06S4H1AKSA1
Numéro de pièce future FT-IPP120N06S4H1AKSA1
SPQ / MOQ Contactez nous
Matériau d'emballage Reel/Tray/Tube/Others
séries OptiMOS™
IPP120N06S4H1AKSA1 Statut (cycle de vie) En stock
Statut de la pièce Discontinued at Future Semiconductor
Type de FET N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss) 60V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C 120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 200µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs 270nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 21900pF @ 25V
Caractéristique FET -
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package d'appareils du fournisseur PG-TO220-3-1
Paquet / caisse TO-220-3
Pays d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP120N06S4H1AKSA1 Poids Contactez nous
Numéro de pièce de rechange IPP120N06S4H1AKSA1-FT

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