maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPP120N06S402AKSA2
Référence fabricant | IPP120N06S402AKSA2 |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPP120N06S402AKSA2 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ |
IPP120N06S402AKSA2 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 120A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 140µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 195nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15750pF @ 25V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 188W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3-1 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP120N06S402AKSA2 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPP120N06S402AKSA2-FT |
BUZ73A H
Infineon Technologies
BUZ73A H3046
Infineon Technologies
BUZ73AE3046XK
Infineon Technologies
BUZ73AL
Infineon Technologies
BUZ73ALHXKSA1
Infineon Technologies
BUZ73E3046XK
Infineon Technologies
BUZ73H3046XKSA1
Infineon Technologies
BUZ73HXKSA1
Infineon Technologies
BUZ73L
Infineon Technologies
BUZ73LHXKSA1
Infineon Technologies
AT40K40AL-1BQI
Microchip Technology
XC4005XL-3PQ100C
Xilinx Inc.
APA600-BG456I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQG208I
Microsemi Corporation
EP2S15F484C3
Intel
EP1S10F484C7N
Intel
EP1K30FC256-2
Intel
EP2AGX45DF25I5
Intel
LFE2M70SE-6F900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-5E-7M132C
Lattice Semiconductor Corporation