maison / des produits / Produits semi-conducteurs discrets / Transistors - FET, MOSFET - Simple / IPP05CN10L G
Référence fabricant | IPP05CN10L G |
---|---|
Numéro de pièce future | FT-IPP05CN10L G |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | OptiMOS™ |
IPP05CN10L G Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 100A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.1 mOhm @ 100A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 163nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 15600pF @ 50V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 300W (Tc) |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package d'appareils du fournisseur | PG-TO220-3 |
Paquet / caisse | TO-220-3 |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPP05CN10L G Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPP05CN10L G-FT |
IPP60R040C7XKSA1
Infineon Technologies
IPP032N06N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
IPP120N04S302AKSA1
Infineon Technologies
IPP90R340C3XKSA1
Infineon Technologies
SPP07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
IPP80R450P7XKSA1
Infineon Technologies
IPP015N04NGXKSA1
Infineon Technologies
IPP530N15N3GXKSA1
Infineon Technologies
IPP039N04LGXKSA1
Infineon Technologies