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Infineon Technologies IPP023NE7N3GXKSA1

Name: IPP023NE7N3GXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPP023NE7N3GXKSA1
Price: 5.152 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (612 reviews)

Numéro de pièce MFG: IPP023NE7N3GXKSA1

quantité disponible: 39620 Pièces

Prix de référence: USD 5.152

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Date d'expédition: Nous pouvons expédier aujourd'hui

fabricant: Infineon Technologies

Brève description: OptiMOS™ MOSFET N-CH 75V 120A TO220

Statut sans plomb / Statut RoHS: Conforme RoHS (sans plomb)

Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL): 1 (illimité)

Code de date (D / C): Nouveau

catégorie de produit: Transistors - FET, MOSFET - Simple

Stock de ressources: Distributeur Franchisé

garantie: Garantie de qualité de 360 jours

Fiche technique: IPP023NE7N3GXKSA1.pdf

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IPP023NE7N3GXKSA1 Caractéristiques

Référence fabricant	IPP023NE7N3GXKSA1
Numéro de pièce future	FT-IPP023NE7N3GXKSA1
SPQ / MOQ	Contactez nous
Matériau d'emballage	Reel/Tray/Tube/Others
séries	OptiMOS™
IPP023NE7N3GXKSA1 Statut (cycle de vie)	En stock
Statut de la pièce	Active
Type de FET	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension source (Vdss)	75V
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C	120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 273µA
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs	206nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	14400pF @ 37.5V
Caractéristique FET	-
Dissipation de puissance (max)	300W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package d'appareils du fournisseur	PG-TO220-3-1
Paquet / caisse	TO-220-3
Pays d'origine	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IPP023NE7N3GXKSA1 Poids	Contactez nous
Numéro de pièce de rechange	IPP023NE7N3GXKSA1-FT

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