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Référence fabricant | IPL65R420E6AUMA1 |
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Numéro de pièce future | FT-IPL65R420E6AUMA1 |
SPQ / MOQ | Contactez nous |
Matériau d'emballage | Reel/Tray/Tube/Others |
séries | CoolMOS™ E6 |
IPL65R420E6AUMA1 Statut (cycle de vie) | En stock |
Statut de la pièce | Obsolete |
Type de FET | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension source (Vdss) | 650V |
Courant - Drain Continu (Id) à 25 ° C | 10.1A (Tc) |
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420 mOhm @ 3.4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 300µA |
Gate Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 100V |
Caractéristique FET | - |
Dissipation de puissance (max) | 83W (Tc) |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package d'appareils du fournisseur | Thin-Pak (8x8) |
Paquet / caisse | 4-PowerTSFN |
Pays d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IPL65R420E6AUMA1 Poids | Contactez nous |
Numéro de pièce de rechange | IPL65R420E6AUMA1-FT |
IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
IPA60R190C6XKSA1
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IPA60R190E6XKSA1
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IPA60R280E6XKSA1
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IPA60R330P6XKSA1
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IPA60R360P7SXKSA1
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XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
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M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
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10M40SAE144I7G
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5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel